中国科技进步，欧美本不必焦虑

极端光学系统同样令人惊叹。EUV光刻机使用布拉格反射镜，镜面粗糙度要求原子级，形象的说，如果把镜面面积放大到整个德国大小，其表面起伏不能超过0.1毫米。

纳米级对准与测量则是另一大挑战。一颗芯片需要经过几十次甚至上百次光刻，每次都必须与之前的图案完美对准。套刻精度要求低于2纳米。

这就好比在一张邮票大小的区域，连续印刷几十层复杂的城市地图，每层都必须严丝合缝，错位不能超过一根头发丝直径的四万分之一。

系统的整合和稳定性是最后的试金石。一台光刻机内含超过10万个精密零件，是精密机械、高等光学量子物理、真空技术、软件算法等尖端科技的集大成者，将这些系统整合，并让它们在纳米尺度上协同工作，难度远远超过任何单一技术的突破。

此外，芯片要求光刻机良率必须超过90%，这意味着所有极端精密的系统，必须在各种环境干扰下，保持长期、可靠、一致的性能，这是工程中最难的一环。

这些难点相互耦合，构成了极高的技术壁垒，目前全球也就AMSL（荷兰光刻机巨头）一家公司能造出EUV光刻机，所以AMSL生产的一台先进EUV光刻机售价能高达3.5到4亿欧元。

中国作为全球最大的芯片消费国，每年进口芯片金额将近4000亿美元，但是芯片制造最上游环节，也就是光刻设备领域，却面临着严峻的技术封锁。

从2018年开始，美国就通过出口管制措施，限制中国获取先进半导体制造设备，特别是用于生产7纳米以下制程芯片的EUV光刻机就完全禁售，即使是相对成熟的DUV光刻机，也受到越来越严格的出口审查。

美国的目的非常明确，就是让中国永远造不出先进芯片。

这种“卡脖子”局面没有让中国半导体产业屈服，反而激发了自主创新的决心。

中国从2006年就启动了02专项，也就是《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》项目，目的就是突破集成电路制造产业链核心技术。

经过将近20年的发展，我们在成熟技术领域，已经实现自主可控，但在尖端技术层面，仍存在明显差距。

目前上海微电子生产的SSA600/20光刻机，能够支持90纳米的芯片制造，已经在本土芯片生产线上稳定运行。

对于许多工业控制、汽车电子和物联网设备来说，90纳米制程已经足够使用。这部分市场约占全球芯片市场的30%左右。

但当我们进入更先进的28纳米、14纳米甚至7纳米制程领域时，差距就很明显。28纳米是当前芯片制造的一个关键节点，它能够满足绝大多数智能手机、电脑和通信设备对性能与功耗的要求。

全球28纳米及以上制程芯片，约占整个芯片市场的三分之二。

攻克这一领域对中国半导体自主化至关重要。

目前，上海微电子正在攻关的28纳米浸没式光刻机，已经进入内部测试阶段。一旦成功，将覆盖国内芯片制造的大部分需求。

但在最尖端的EUV光刻领域，差距可能是代际性的。

ASML从1999年开始研究EUV技术，投入超过400亿美元，集结了全球5000多家供应商，德国的蔡司提供光学系统，美国的Cymer提供光源，各种精密零部件来自世界各地，才实现了EUV光刻机的商业化。

中国在尖端EUV领域研发目前仍然处于早期阶段，中国虽已研发出EUV光刻机原型机，但离商用还有很长的路要走。

一台先进光刻机的制造离不开全球供应链的支持，中国要实现完全自主，必须在全产业链上取得突破。

更为关键的是工艺数据的积累。

ASML每台设备都承载着数十年的工艺数据，这些数据能帮助芯片制造商快速提高良品率。而后来者需要从零开始积累这一过程，需要时间和大量试错。

长期来看，中国必须坚持EUV等尖端技术的自主研发，但需要清楚的认识，这是一条需要数十年持续投入的道路，不可能一蹴而就。

中国在光刻技术领域的突破，将逐步改变全球半导体产业的格局。

即使中国只能实现28纳米及以上制程的自主可控，也将影响全球约三分之二的芯片市场。

而当下，中国极紫外EUV原型机的突破，恰恰证明了一个事实，封锁压不跨中国，反而倒逼中国走上自主创新之路。

这就像当年的两弹一星一样。

历史将再次证明，封锁只会让中国更加强大，中国的EUV光刻机正在路上。