原创 三星2nm芯片来了，国产差距拉大到3代，咱们得直面现实了

这颗采用三星自家GAAFET 2nm技术制造、第二代GAA工艺加持的芯片，10核设计下性能飙升39%，配合HPB技术温效还降了16%。虽然晶体管密度等细节还没完全公开，但全球芯片工艺已正式迈入2nm时代，这事儿板上钉钉。

反观咱们国内，芯片制造工艺还在等效7nm水平晃悠。以前三星、台积电搞3nm时，咱们和他们的差距是5nm、3nm两代；现在三星冲到2nm，台积电也快跟上，差距直接拉大到5nm、3nm、2nm三代。这数字看着扎心，但确实是实打实的现状。

有人可能会说：“咱们用浸润式光刻机也能搞5nm芯片！”可这事儿得掰扯清楚——没EUV光刻机，造7nm以下芯片比登天还难。理论上浸润式DUV能搞5nm甚至3nm，但得经过多轮曝光，技术上能不能成还是未知数。毕竟没厂商用浸润式DUV造过5nm芯片，台积电当年用浸润式造了7nm就火速换EUV了。就算技术上能成，良率也得大打折扣，直接影响芯片成本和制造效率。

说到底，关键还是得有EUV光刻机。可买是买不到了——ASML早就摊牌，卖给中国的光刻机相当于2013、2014年卖给西方的，落后十年以上，连最先进的浸润式DUV都不给，更别说EUV了。所以咱们只能自己造。